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高温反偏老化试验检测，高温反偏老化试验检测机构
高温反偏老化试验是对半导体器件在高温与反向偏压叠加环境下的可靠性及稳定性开展的系统性评估工作，围绕电参数漂移、绝缘性能、失效风险及长期耐用性开展检测，通过高温试验箱、高精度电源、半导体参数分析仪、漏电流测试仪、失效分析显微镜等手段，评估反向漏电流变化率、击穿电压稳定性、阈值电压漂移量、栅氧层可靠性、封装密封性等关键指标，保障其在汽车电子、工业控制、航空航天、消费电子及功率器件等领域的高温高电压场景下可靠运行，是半导体器件研发验证、生产质量筛选、批次一致性管控及应用风险评估的重要技术支撑。
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检测范围
汽车功率半导体高温反偏老化试验、工业控制芯片高温反偏老化试验、航空航天用半导体器件高温反偏老化试验、消费电子IC高温反偏老化试验、高压二极管高温反偏老化试验、MOSFET高温反偏老化试验、IGBT模块高温反偏老化试验、射频器件高温反偏老化试验、传感器芯片高温反偏老化试验、集成电路封装高温反偏老化试验
检测项目
反向漏电流监测、击穿电压测定、阈值电压漂移测试、栅极漏电流检测、电参数长期稳定性评估、失效时间统计、封装应力影响测试、不同温度梯度反偏试验、偏压强度梯度试验、老化后功能完整性验证、热失控风险评估、寄生参数变化测试、界面可靠性测试、静电防护能力评估
检测标准
1. JESD22-A108-B-2014 半导体器件 高温反偏（HTRB）试验方法
2. AEC-Q100-2022 汽车电子元器件可靠性测试标准（含高温反偏试验要求）
3. MIL-STD-883H-2018 微电路试验方法标准（方法1019 高温反偏试验）
4. GB/T 4937.3-2019 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分：高温反偏试验
5. IEC 60749-41-2016 半导体器件 机械和气候试验 第41部分：高温反偏试验
